電子工程實(shí)訓(xùn)：微電子器件設(shè)計(jì)與仿真【大學(xué)組】

電子計(jì)算機(jī)工程/電子工程

項(xiàng)目背景

電子技術(shù)高速發(fā)展的今天，以半導(dǎo)體傳感器為主流的多種固態(tài)傳感器日益成為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的支柱。半導(dǎo)體傳感器以其易于集成化、微型化、智能化以及高靈敏度等優(yōu)勢(shì)引起各國(guó)學(xué)界與業(yè)界重視。無論是可穿戴式傳感設(shè)備、無人駕駛汽車，還是醫(yī)療保健與生物工程、工業(yè)自動(dòng)化，半導(dǎo)體傳感器正在越來越廣泛地服務(wù)于各行各業(yè)。項(xiàng)目聚焦半導(dǎo)體傳感器工作原理、構(gòu)成、特性及應(yīng)用，旨在幫助學(xué)生拓寬知識(shí)面，培養(yǎng)綜合分析與應(yīng)用能力，為今后學(xué)習(xí)與職業(yè)發(fā)展打下基礎(chǔ)。

項(xiàng)目介紹

項(xiàng)目?jī)?nèi)容包括金屬、半導(dǎo)體與絕緣體晶格結(jié)構(gòu)、帶隙和費(fèi)米能級(jí)，載流子電流輸運(yùn)與漂移擴(kuò)散模型，半導(dǎo)體本征載流子濃度與摻雜改性，電阻率與方塊電阻，PN結(jié)與二極管方程等。學(xué)生將通過項(xiàng)目理論結(jié)合實(shí)際，接軌微電子半導(dǎo)體器件前沿理論與技術(shù)，在結(jié)束時(shí)提交項(xiàng)目報(bào)告，進(jìn)行成果展示。

個(gè)性化研究課題：

A Review of Technologies for High Efficiency Silicon Solar Cells 高效硅太陽(yáng)電池技術(shù)研究

An Application-Driven Improvement of the Drift–Diffusion Model for Carrier Transport in Decanano-Scaled CMOS Devices 應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下載流子電流輸運(yùn)與漂移擴(kuò)散模型在納米CMOS器件中的性能提升研究

非對(duì)稱陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的半超結(jié)功率二極管性能優(yōu)化研究 The Semi-super Junction Power Diode with an Asymmetric Anode Structure

適合人群

大學(xué)生

電子工程、電子計(jì)算機(jī)工程、通信工程和電子技術(shù)等專業(yè)或者對(duì)微電子半導(dǎo)體物理感興趣的學(xué)生；學(xué)生需要具備傳感器、數(shù)字邏輯等電子工程相關(guān)基礎(chǔ)

導(dǎo)師介紹

哈佛大學(xué)研究員

Munib導(dǎo)師于2007年起在哈佛大學(xué)工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院 (School of Engineering and Applied Sciences, SEAS) 任教，主要從事圖形圖像處理的研究，以及博士生及碩士生的教學(xué)和指導(dǎo)工作。

導(dǎo)師及其團(tuán)隊(duì)開發(fā)了基于硅納米結(jié)構(gòu)的光電器，并且提出了光譜調(diào)諧圖片探測(cè)器的新概念，獲得60多項(xiàng)美國(guó)專利和133多項(xiàng)應(yīng)用，在圖像處理和半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域榮獲18項(xiàng)授權(quán)專利。導(dǎo)師在麻省理工學(xué)院（MIT）獲得博士、碩士與學(xué)士學(xué)位。

任職學(xué)校

哈佛大學(xué)（Harvard University）始建于1636年，是一所享譽(yù)世界的私立研究型大學(xué)，也是常春藤盟校成員。哈佛大學(xué)在學(xué)術(shù)界享有崇高的地位，并且在世界范圍內(nèi)具有廣泛的社會(huì)影響力。哈佛大學(xué)孕育了8位美國(guó)總統(tǒng)，158位諾貝爾獎(jiǎng)獲得者（世界第一）和18位菲爾茲獎(jiǎng)得主（世界第一），在2019/2020年U.S.News世界大學(xué)排名中位列第一，2018年QS世界大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)以及電子工程專業(yè)排名位列第六。

項(xiàng)目大綱

金屬、半導(dǎo)體與絕緣體晶格結(jié)構(gòu)、帶隙和費(fèi)米能級(jí) Lattice structure, band gap and Fermi level in metals, semiconductors, and insulators

載流子電流輸運(yùn)與漂移擴(kuò)散模型 Carrier transport, drift/diffusion model

半導(dǎo)體本征載流子濃度與摻雜改性 Intrinsic carrier concentration and its modification by doping in semiconductors

電阻率與方塊電阻 Resistivity and sheet resistance

PN結(jié)與二極管方程 PN junctions and the diode equation

項(xiàng)目回顧與成果展示 Program Review and Presentation

論文輔導(dǎo) Project Deliverables Tutoring

時(shí)間安排與收獲

7周在線小組科研學(xué)習(xí)+5周論文輔導(dǎo)學(xué)習(xí) 共125課時(shí)

學(xué)術(shù)報(bào)告

優(yōu)秀學(xué)員獲主導(dǎo)師Reference Letter

EI/CPCI/Scopus/ProQuest/Crossref/EBSCO或同等級(jí)別索引國(guó)際會(huì)議全文投遞與發(fā)表（可用于申請(qǐng)）

結(jié)業(yè)證書

成績(jī)單